從比亞迪半導體獲悉，比亞迪半導體在全國擁有五大研發及生產制造基地，分別是深圳、惠州、寧波、長沙、西安。其中，位于西安的半導體研發中心，將配備近千人的研發團隊，是比亞迪半導體的全新研發基地。

比亞迪半導體表示，將充分利用西安在集成電路方面的人才資源、供應鏈資源及客戶資源，主要從事功率半導體、智能傳感器、智能控制 IC 等半導體產品的設計及服務。

繼 2018 年在寧波發布 IGBT4.0 芯片技術后，比亞迪半導體已打磨出一款更高性能的 IGBT6.0 芯片，并計劃于比亞迪半導體西安研發中心全新發布。

自 2002 年進入半導體領域以來，比亞迪半導體在 2009 年推出國內首款自主研發的 IGBT 芯片，2018 年推出 IGBT4.0 芯片。比亞迪半導體數據顯示，截止 2020 年底，以 IGBT 為主的車規級功率器件累計裝車超過 100 萬輛，單車行駛里程超過 100 萬公里。

比亞迪半導體透露，IGBT6.0 芯片采用新一代自主研發的高密度溝槽柵技術，相較同類產品在可靠性及產品性能上將實現重大突破。

作為電動車三電系統的控制核心，IGBT芯片是整車成本中僅次于動力電池的關鍵零部件。伴隨新能源車銷量的不斷提升，各家車企對此的需求量也在逐步走高，并且IGBT芯片還有高功率直流充電樁的另一大出口。

而從去年開始的所有半導體的供貨難，不僅影響到了所有車型必備的微電子芯片，同時也波及到了新能源車的功率芯片。如此大背景下，伴隨新一代技術而來的生產環節提升就顯得尤為重要。IGBT芯片良品率的提升，將有助于成本的降低，同時輻射到生產效率，為自動化生產線提升單位時間產能提供了良好的基礎。所以，比亞迪IGBT 6.0不僅是一次技術突破，還是解決目前功率半導體市場較大缺口，未來獲得更多客戶的一大利器。